20일 대만 시장조사업체 트렌드포스는 "3대 D램 업체가 선단 공정을 위해 웨이퍼 투입량을 늘리고 있다"며 이같이 밝혔다.
트렌드포스는 메모리 업체들이 하반기 캐파(CAPA) 확대를 위해 설비투자를 늘리고 있다고 설명했다. 또 10나노급 4세대(1a) 나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이상 공정에서 쓰이는 웨이퍼가 연말까지 전체 D램 웨이퍼 투입량의 40%를 차지할 것으로 내다봤다.
선단 공정에서 쓰이는 웨이퍼의 35%는 HBM 생산용으로 쓰일 전망이다. HBM의 경우 수율(완성품 중 양품 비중)이 50~60%인데다 일반 D램 대비 필요로 하는 웨이퍼 면적이 60% 넓다 보니 메모리 업계의 웨이퍼 투입량이 늘어날 수밖에 없다는 게 트렌드포스 설명이다.
회사는 또 "나머지 웨이퍼 캐파는 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5X와 더블데이터레이트(DDR)5 제품에 할당될 것"이라고 예상했다.
올해 HBM 주류 제품은 하반기 출하량이 집중될 5세대 HBM(HBM3E)이 될 것으로 보인다. 트렌드포스는 "SK하이닉스는 마이크론과 함께 1b 공정을 활용해 엔비디아에 (HBM3E를) 공급하고 있다"며 "1a 공정을 활용하는 삼성전자는 2분기 인증을 완료하고 올해 중반부터 납품을 시작할 것"이라고 예상했다.
트렌드포스는 PC와 서버, 스마트폰의 콘텐츠 용량 증가로 매 분기 선단 공정 캐파 수요가 늘고 있다고 설명했다. 특히 서버의 경우 AI 서버를 중심으로 "가장 높은 캐파 증가를 보인다"고 설명했다.
메모리 성수기 도래로 DDR5, LPDDR5·5X 등 D램 수요도 늘어날 전망이다. DDR5 D램의 경우 인텔 사파이어 래피즈, AMD 제노아 등과 함께 쓰이면서 연말까지 시장 보급률이 50%를 넘어설 수 있다.
다만 HBM에 투입되는 웨이퍼 비중이 높아지면서 선단 공정 기반의 일반 제품 생산은 제한될 수 있다는 게 트렌드포스 설명이다. 회사는 "HBM4 개발이 임박한 상황에서 캐파 확대에 상당한 투자가 이뤄지지 않는다면 HBM 우선순위가 높아져 캐파 제약에 따른 D램 공급 부족이 발생할 수 있다"고 짚었다.
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