삼성전자가 글로벌 반도체 설계 자산 회사 ARM과 협력을 확대해 삼성의 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate All-Around) 기술 경쟁력을 고도화한다.
20일 삼성전자는 GAA 기반 최첨단 파운드리 공정에 ARM의 차세대 SoC(시스템온칩) 설계 자산을 최적화하는 협력을 강화한다고 밝혔다. 이를 통해 설계 전문 기업인 팹리스 고객의 GAA 공정에 대한 접근성을 높여 차세대 제품 개발에 들어가는 시간과 비용을 줄이겠다는 것이다.
GAA는 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술이다. 지난 2022년 삼성전자가 세계 최초로 GAA 기술을 3나노 공정에 도입했다. TSMC와 인텔은 2나노부터 이 기술을 적용할 것으로 알려졌다.
이번 협업을 통해 ‘인공지능(AI) 붐’에 맞는 SoC 개발에 나서는 팹리스 고객들이 ARM의 최신중앙처리장치(CPU) 접근이 쉬워진다는 게 삼성의 설명이다. 삼성전자의 최첨단 GAA 공정을 기반으로 설계된 ARM의 프리미엄 CPU 제품군 코어텍스-X(Cortex-X)는 강력한 성능과 전력 효율을 자랑한다.
계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 “이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최첨단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 코어텍스 CPU를 선보일 수 있게됐다”고 말했다. 크리스 버기 ARM 클라이언트 사업부 수석 부사장도 “삼성전자와의 협력을 통해 AI 시대에 요구되는 성능과 효율을 제공하기 위해 양사는 혁신을 거듭할 것”이라고 말했다.
삼성전자는 ARM과 이번 협력을 계기로 차세대 데이터센터 및 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 AI 칩렛 솔루션 등을 순차적으로 선보일 계획이다.
