SCMP는 업계 소식통을 인용해 "미국의 제재 여파로 SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론 등 글로벌 리더들을 따라잡는 것은 힘든 싸움"이라면서 "중국 정부는 수년이 걸리더라도 HBM을 자급자족해야한다고 판단한 것"이라고 전했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 개선한 초고성능 제품이다. 방대한 량의 데이터를 처리하고 학습하는 AI에 필수적이다.
![[이미지출처=로이터연합뉴스]](https://imgnews.pstatic.net/image/277/2023/08/30/0005307154_001_20230830170107019.jpg?type=w647)
익명을 요구한 소식통은 중국 최대 D램 제조업체인 창신메모리(CXMT)가 HBM 생산에 있어 가장 희망적인 상황이라고 말했다. 다만 제품의 양산과 시장 출시에는 최대 4년이 걸릴 수 있다고 설명했다. 허페이에 본사를 둔 CXMT는 올해 상하이 증시에 145억달러 규모의 기업가치로 상장하는 것을 계획중이지만, 지난해 10월 미국의 수출 통제 대상에 이름을 올린 상태다.
앞서 세계 시장 점유율 50%를 차지하는 SK하이닉스는 2021년10월 HBM3를 개발해 지난해 6월 양산에 돌입한 바 있다. 지난 4월에는 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아올려 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 신제품을 세계 최초로 개발했다. 이달 21일에는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초만에 처리하는 5세대 제품 HBM3E를 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 내년 상반기 양산이 목표다. 미국 AMD, 엔디비아 등 고객사들이 이를 기다리고 있는 것으로 알려졌다. 기술 컨설팅 업체인 트렌드포스 보고서에 따르면 HBM 칩에 대한 수요는 올해 60% 가량 증가할 것으로 전망된다.
업계 관계자는 HMB칩은 고성능이지만, 극자외선(EUV) 장비 등 첨단 노광 기술이 없어도 제조할 수 있기 때문에, 최신 장비 조달에 어려움을 겪는 중국이 자체 버전을 생산할 가능성이 있다고 평가했다. 고밀도 패키징 기술이 요구되긴 하지만 중국 역시 JCET 등 상대적으로 앞선 기업들을 보유하고 있다.
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